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注册资本：万元
企业类型：有限责任公司
所在地区：广东 深圳 龙岗区 深圳市龙岗区坂田布龙路339号鸿生源工业园A栋902室
联 系 人：刘先生(先生)
联系电话：136****6601
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技术参数
| 品牌： | IR/INFINEON |
| 型号： | BSC077N12NS3 |
| 批号： | 2019+ |
| 封装： | TDSON-8 |
| 数量： | 6450 |
| QQ： | 3325859797 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 150 V |
| Id-连续漏极电流： | 104 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5 V |
| Qg-栅极电荷： | 77 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 380 W |
| 配置： | Single |
| 封装： | Tube |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 商标： | Infineon / IR |
| 正向跨导 - 最小值： | 97 S |
| 下降时间： | 39 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 73 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 41 ns |
| 典型接通延迟时间： | 18 ns |
| 零件号别名： | SP001565902 |
| 单位重量： | 6 g |
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